Hallo,
in meinem kommenden Projekt bin ich aus Platzgründen zum ersten mal gezwungen BGA Packages zu verwenden.
Hierbei kommt ein µC und ein Sdram zum Einsatz.
Ich habe 2 Entwicklungsboard von STMicroelectronics vor mir legen.
Beim ersten Board greifen die Adressen und Datenleitungen auf mehrere Speicher zu.
Aus Platzproblemen sind diese relativ weit weg vom µC. Die Leitungen verlassen hierbei den BGA µC über die Innenlagen/Bottom, gehen auf die Top Lage zu Serienwiderstanden und verschwinden wieder über die Innenlage und/oder Bottom zu den verschiedenen Speichern.
Beim zweiten Board ist der Sdram direkt neben dem µC platziert. Die Leitungen gehen über Innenlagen und Bottom direkt zum Sdram. Die Leitungen sind somit sehr kurz.
Jetzt bin ich mir unsicher, welche Variante die bessere ist.
In meinem Fall kann ich den Sdram sehr nahe am µC platzieren.
Sollten hier dennoch Serienwiderstände verwendet werden?
Dadurch würden die Leiterbahnen jedoch länger werden.
Allerdings sollten die Widerstände als Nebeneffekt doch auch die An- und Abstiegszeiten geringfügig dämpfen?
Reflektionen habe ich doch rein theoretisch immer, auch bei kurzen Leitungen?
Unter https://www.mikrocontroller.net/article ... widerstand (Abschnitt Terminierung) steht nämlich, dass erst bei langen Leitungen Reflexionen auftreten.
Die realen An- und Abstiegszeiten sind mir nicht bekannt, da im Datenblatt (wie immer) der max Wert steht.
Des Weiteren habe ich eine rein theoretische Frage.
Könnte man den Serienwiderstand nicht mittels unterschiedlicher Leiterbahnbreiten realisieren?
Das heißt 33Ohm Impedanz bedeuten z.B. 5mil Leiterbahnbreite bei 0,1mm Abstand zu GND und
50Ohm bedeuten 13Mil bei 0,1mm Abstand?